Gamintojo produkto numeris:
SI1036X-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1036X-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6
Inventorius:
3657 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914621
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1036X-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
610mA (Ta)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
36pF @ 15V
Galia - Maks.
220mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-89-6
Pagrindinio produkto numeris
SI1036
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SI1036X-T1-GE3CT
742-SI1036X-T1-GE3TR
742-SI1036X-T1-GE3DKR
SI1036X-T1-GE3-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4276DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI6993DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
SI5975DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
