Gamintojo produkto numeris:
SI1070X-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1070X-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventorius:
923 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12917620
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1070X-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.55V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
385 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
236mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-89 (SOT-563F)
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Pagrindinio produkto numeris
SI1070
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1070X-T1-GE3CT
SI1070X-T1-GE3TR
SI1070X-T1-GE3DKR
SI1070XT1GE3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SSM6K202FE,LF
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
21141
DiGi DALIES NUMERIS
SSM6K202FE,LF-DG
VISO KAINA
0.12
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
SIHD3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
