Gamintojo produkto numeris:
SI1303EDL-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1303EDL-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Inventorius:
12959632
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1303EDL-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
670mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
290mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-3
Pakuotė / dėklas
SC-70, SOT-323
Pagrindinio produkto numeris
SI1303
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1303EDLT1E3
SI1303EDL-T1-E3CT
SI1303EDL-T1-E3TR
SI1303EDL-T1-E3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4126DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
IRL530L
MOSFET N-CH 100V 15A TO262-3
SI4825DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
