Gamintojo produkto numeris:
SI1406DH-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1406DH-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
12914321
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1406DH-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.1A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pagrindinio produkto numeris
SI1406
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1406DH-T1-E3TR
SI1406DH-T1-E3DKR
SI1406DH-T1-E3CT
SI1406DHT1E3
SI1406DH-T1-E3-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7431DP-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
SI7720DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
IRFU9214PBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
