Gamintojo produkto numeris:
SI1413EDH-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1413EDH-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
12918336
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1413EDH-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.3A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
450mV @ 100µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pagrindinio produkto numeris
SI1413
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1413EDH-T1-GE3CT
SI1413EDH-T1-GE3TR
SI1413EDHT1GE3
SI1413EDH-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PMG85XP,115
GAMINTOJAS
NXP USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
1667747
DiGi DALIES NUMERIS
PMG85XP,115-DG
VISO KAINA
0.05
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
PMG85XPH
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
2340
DiGi DALIES NUMERIS
PMG85XPH-DG
VISO KAINA
0.05
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
SIRA04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SI4384DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
