Gamintojo produkto numeris:
SI1419DH-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1419DH-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6
Išsami aprašymas:
P-Channel 200 V 300mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
12919787
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1419DH-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
300mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pagrindinio produkto numeris
SI1419
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1419DH-T1-E3CT
SI1419DH-T1-E3TR
SI1419DHT1E3
SI1419DH-T1-E3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI8461DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
SI4835BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
SQM50P08-25L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
