Gamintojo produkto numeris:
SI1450DH-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1450DH-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70
Išsami aprašymas:
N-Channel 8 V 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
12913269
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1450DH-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
8 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.05 nC @ 5 V
VGS (Max)
±5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
535 pF @ 4 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.56W (Ta), 2.78W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pagrindinio produkto numeris
SI1450
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFK80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO264
IRL620SPBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
SI7178DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8