Gamintojo produkto numeris:
SI1470DH-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1470DH-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
12916253
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1470DH-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.6V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
510 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pagrindinio produkto numeris
SI1470
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1470DHT1E3
SI1470DH-T1-E3TR
SI1470DH-T1-E3DKR
SI1470DH-T1-E3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIE818DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
SIHU6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
SI7868ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
