Gamintojo produkto numeris:
SI1903DL-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1903DL-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
12913959
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1903DL-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
410mA
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
995mOhm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
270mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SI1903
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1903DL-T1-GE3DKR
SI1903DL-T1-GE3CT
SI1903DL-T1-GE3TR
SI1903DLT1GE3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
BSD223PH6327XTSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
67768
DiGi DALIES NUMERIS
BSD223PH6327XTSA1-DG
VISO KAINA
0.06
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
FDG6304P
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
6300
DiGi DALIES NUMERIS
FDG6304P-DG
VISO KAINA
0.15
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4944DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8SOIC
SI5504DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
SI4943CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC