Gamintojo produkto numeris:
SI1972DH-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1972DH-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
12916059
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1972DH-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.3A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
75pF @ 15V
Galia - Maks.
1.25W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SI1972
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1972DHT1GE3
SI1972DH-T1-GE3DKR
SI1972DH-T1-GE3TR
SI1972DH-T1-GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDG8850NZ
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
16226
DiGi DALIES NUMERIS
FDG8850NZ-DG
VISO KAINA
0.15
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
DMN3190LDW-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
16105
DiGi DALIES NUMERIS
DMN3190LDW-7-DG
VISO KAINA
0.05
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4973DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
SI6926ADQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
SIA527DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
