Gamintojo produkto numeris:
SI2307CDS-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI2307CDS-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventorius:
40684 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12917812
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI2307CDS-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
88mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
340 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
SI2307
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI2307CDS-T1-E3CT
SI2307CDS-T1-E3DKR
SI2307CDS-T1-E3TR
SI2307CDS-T1-E3-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
VS-FC270SA20
MOSFET N-CH 200V 287A SOT227
SIHF065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220
SIB456DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
