Gamintojo produkto numeris:
SI2329DS-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI2329DS-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventorius:
4739 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12913419
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI2329DS-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
8 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.2V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
800mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1485 pF @ 4 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
SI2329
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI2329DS-T1-GE3-DG
SI2329DS-T1-GE3CT
SI2329DS-T1-GE3TR
SI2329DS-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFBC30ASTRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRL530S
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI4892DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
