SI2377EDS-T1-BE3
Gamintojo produkto numeris:

SI2377EDS-T1-BE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI2377EDS-T1-BE3-DG

Aprašymas:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 3.7A (Ta), 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventorius:

1985 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12998611
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI2377EDS-T1-BE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
742-SI2377EDS-T1-BE3TR
742-SI2377EDS-T1-BE3CT
742-SI2377EDS-T1-BE3DKR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
taiwan-semiconductor

TSM4NB60CI

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM080N03PQ56

30V, 73A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4NB65CI

650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

good-ark-semiconductor

SSF2429

MOSFET, P-CH, SINGLE, -5A, -20V,