SI2399DS-T1-BE3

Gamintojo produkto numeris:

SI2399DS-T1-BE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI2399DS-T1-BE3-DG

Aprašymas:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Išsami aprašymas:

P-Channel 20 V 5.1A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventorius:

2480 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12977726

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

SI2399DS-T1-BE3 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

P-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

20 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

5.1A (Ta), 6A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

2.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

1.5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

20 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±12V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

835 pF @ 10 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

SOT-23-3 (TO-236)

Pakuotė / dėklas

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

742-SI2399DS-T1-BE3TR

742-SI2399DS-T1-BE3CT

Standartinis paketas

3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

vishay-siliconix

SIDR610DP-T1-RE3

N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHA22N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SIHA22N60EL-GE3

N-CHANNEL600V

vishay-siliconix

SIHFR9310TRR-GE3

MOSFET P-CHANNEL 400V