Gamintojo produkto numeris:
SI3129DV-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI3129DV-T1-GE3-DG
Aprašymas:
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 80 V 3.8A (Ta), 5.4A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12949161
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI3129DV-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
805 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SI3129DV-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PXP6R7-30QLJ
PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
PXP013-30QLJ
PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
IRF150P221AKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
