Gamintojo produkto numeris:
SI3447BDV-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI3447BDV-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12917450
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
xDXk
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI3447BDV-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
SI3447
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI3447BDV-T1-E3DKR
SI3447BDVT1E3
SI3447BDV-T1-E3TR
SI3447BDV-T1-E3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4630DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
SI3442BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
SIR406DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8