Gamintojo produkto numeris:
SI3447CDV-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI3447CDV-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 7.8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12915473
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI3447CDV-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
910 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
SI3447
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI3447CDV-T1-GE3CT
SI3447CDV-T1-GE3DKR
SI3447CDVT1GE3
SI3447CDV-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI3493DDV-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SI3493DDV-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.07
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7848BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI7384DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI6467BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
