SI3459BDV-T1-BE3
Gamintojo produkto numeris:

SI3459BDV-T1-BE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI3459BDV-T1-BE3-DG

Aprašymas:

P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 2.2A (Ta), 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventorius:

902 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12977823
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI3459BDV-T1-BE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.2A (Ta), 2.9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
216mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
742-SI3459BDV-T1-BE3TR
742-SI3459BDV-T1-BE3DKR
742-SI3459BDV-T1-BE3CT
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SIHA25N60EFL-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2371EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

diodes

DMP3021SFVW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

vishay-siliconix

SIHA25N50E-GE3

N-CHANNEL 500V