SI3460BDV-T1-BE3
Gamintojo produkto numeris:

SI3460BDV-T1-BE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI3460BDV-T1-BE3-DG

Aprašymas:

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 6.7A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventorius:

2903 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12977805
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI3460BDV-T1-BE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.7A (Ta), 8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
860 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
742-SI3460BDV-T1-BE3CT
742-SI3460BDV-T1-BE3TR
742-SI3460BDV-T1-BE3DKR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SI3457CDV-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2333DS-T1-BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHP15N60E-BE3

N-CHANNEL 600V

diodes

DMP3021SFVW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333