Gamintojo produkto numeris:
SI3475DV-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI3475DV-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12912637
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI3475DV-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
950mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
500 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
SI3475
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI3475DV-T1-E3DKR
SI3475DV-T1-E3TR
SI3475DV-T1-E3CT
SI3475DVT1E3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR9024TRRPBF
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
SI7308DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
