Gamintojo produkto numeris:
SI3805DV-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI3805DV-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 3.3A (Tc) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12920021
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI3805DV-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
LITTLE FOOT®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
84mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
330 pF @ 10 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
SI3805
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI3805DVT1GE3
SI3805DV-T1-GE3CT
SI3805DV-T1-GE3TR
SI3805DV-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDC634P
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
5000
DiGi DALIES NUMERIS
FDC634P-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
SIHF28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
