Gamintojo produkto numeris:
SI3951DV-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI3951DV-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 2.7A 2W Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12920482
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI3951DV-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.7A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5.1nC @ 5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
250pF @ 10V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pagrindinio produkto numeris
SI3951
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI3951DV-T1-E3CT
SI3951DV-T1-E3TR
SI3951DV-T1-E3DKR
SI3951DVT1E3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDC6310P
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
7945
DiGi DALIES NUMERIS
FDC6310P-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SI3993CDV-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
50318
DiGi DALIES NUMERIS
SI3993CDV-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.13
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
FDC6312P
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
7879
DiGi DALIES NUMERIS
FDC6312P-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7983DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
SI9933BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC
SI4622DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
