Gamintojo produkto numeris:
SI4090DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4090DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 19.7A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12954457
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4090DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2410 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4090
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4090DY-T1-GE3CT
SI4090DY-T1-GE3DKR
SI4090DY-T1-GE3TR
SI4090DYT1GE3
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RS3L045GNGZETB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1173
DiGi DALIES NUMERIS
RS3L045GNGZETB-DG
VISO KAINA
0.25
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RF1S4N100SM9A
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
APT1201R4BLLG
MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
BUK9245-55A/C1118
N-CHANNEL POWER MOSFET
