Gamintojo produkto numeris:
SI4116DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4116DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
1218 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12916887
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4116DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1925 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4116
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4116DY-T1-GE3TR
SI4116DY-T1-GE3DKR
SI4116DY-T1-GE3CT
SI4116DYT1GE3
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
G050N03S
GAMINTOJAS
Goford Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
20000
DiGi DALIES NUMERIS
G050N03S-DG
VISO KAINA
0.16
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4102DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
SIE878DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
