Gamintojo produkto numeris:
SI4170DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4170DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12913918
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4170DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.6V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4355 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 6W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4170
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4170DY-T1-GE3TR
SI4170DYT1GE3
SI4170DY-T1-GE3DKR
SI4170DY-T1-GE3CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
AO4354
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
98789
DiGi DALIES NUMERIS
AO4354-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SI4166DY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5435
DiGi DALIES NUMERIS
SI4166DY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.50
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
IXFJ52N30Q
MOSFET N-CH TO-220
