Gamintojo produkto numeris:
SI4409DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4409DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Išsami aprašymas:
P-Channel 150 V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12913868
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4409DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
332 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4409
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4409DY-T1-GE3CT
SI4409DY-T1-GE3TR
SI4409DY-T1-GE3DKR
SI4409DYT1GE3
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI4455DY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
32101
DiGi DALIES NUMERIS
SI4455DY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.56
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFPE50PBF
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
SI8441DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT
IRL540SPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
