Gamintojo produkto numeris:
SI4418DY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4418DY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 2.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12917208
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4418DY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.3A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4418
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4418DY-T1-E3TR
SI4418DYT1E3
SI4418DY-T1-E3DKR
SI4418DY-T1-E3CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDS2670
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
2359
DiGi DALIES NUMERIS
FDS2670-DG
VISO KAINA
0.69
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SI4490DY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1467
DiGi DALIES NUMERIS
SI4490DY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.84
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4396DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SI1470DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
