Gamintojo produkto numeris:
SI4421DY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4421DY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
3891 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12919601
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4421DY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
800mV @ 850µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
125 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4421
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4421DY-T1-E3DKR
SI4421DYT1E3
SI4421DY-T1-E3TR
SI4421DY-T1-E3CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHG21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
SIHF540S-GE3
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
SQJ403EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
