Gamintojo produkto numeris:
SI4466DY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4466DY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12917340
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4466DY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4466
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4466DYT1E3
SI4466DY-T1-E3DKR
SI4466DY-T1-E3TR
SI4466DY-T1-E3CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMN2009LSS-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
1816
DiGi DALIES NUMERIS
DMN2009LSS-13-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PMV15ENEAR
MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
SI1077X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V SC89-6
SIRA34DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
