Gamintojo produkto numeris:
SI4472DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4472DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 7.7A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12913698
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4472DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
8V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1735 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4472
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4472DY-T1-GE3TR
SI4472DY-T1-GE3DKR
SI4472DY-T1-GE3CT
SI4472DYT1GE3
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDS2572
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
19251
DiGi DALIES NUMERIS
FDS2572-DG
VISO KAINA
0.63
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SI4488DY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
8237
DiGi DALIES NUMERIS
SI4488DY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.87
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4134DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IXFV16N80PS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS-220SMD
SI4668DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO