Gamintojo produkto numeris:
SI4490DY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4490DY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 2.85A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
3553 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914480
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4490DY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.85A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.56W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4490
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4490DYT1E3
SI4490DY-T1-E3TR
SI4490DY-T1-E3CT
SI4490DY-T1-E3DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI2302ADS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
IRLU024
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
