Gamintojo produkto numeris:
SI4620DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4620DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 6A (Ta), 7.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12915043
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4620DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
LITTLE FOOT®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Ta), 7.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1040 pF @ 15 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4620
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4620DY-T1-GE3DKR
SI4620DY-T1-GE3TR
SI4620DYT1GE3
SI4620DY-T1-GE3CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMN3024LSS-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
2318
DiGi DALIES NUMERIS
DMN3024LSS-13-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI3442CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
SI4158DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
SIA416DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
