Gamintojo produkto numeris:
SI4650DY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4650DY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12913390
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4650DY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Half Bridge)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1550pF @ 15V
Galia - Maks.
3.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
SI4650
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4650DY-T1-E3CT
SI4650DY-T1-E3DKR
SI4650DYT1E3
SI4650DY-T1-E3TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI4816BDY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SI4816BDY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.63
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
DMG4822SSD-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
4911
DiGi DALIES NUMERIS
DMG4822SSD-13-DG
VISO KAINA
0.19
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI4925BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
SI1922EDH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6