SI4668DY-T1-E3

Gamintojo produkto numeris:

SI4668DY-T1-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI4668DY-T1-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO

Išsami aprašymas:

N-Channel 25 V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12913313

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

SI4668DY-T1-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

-

Serijos

TrenchFET®

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

25 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

16.2A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.6V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

42 nC @ 10 V

VGS (Max)

±16V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1654 pF @ 15 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

8-SOIC

Pakuotė / dėklas

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pagrindinio produkto numeris

SI4668

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

SI4668DY-T1-E3-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

vishay-siliconix

SI3424DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

vishay-siliconix

SI3481DV-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP

micro-commercial-components

MCT06P10-TP

MOSFET P-CH 100V 6A SOT223

nexperia

PSMN6R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56