Gamintojo produkto numeris:
SI4816BDY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4816BDY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12917949
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4816BDY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
LITTLE FOOT®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Half Bridge)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.8A, 8.2A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
1W, 1.25W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
SI4816
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4816BDY-T1-E3DKR
SI4816BDYT1E3
SI4816BDY-T1-E3CT
SI4816BDY-T1-E3TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRL6372TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
13964
DiGi DALIES NUMERIS
IRL6372TRPBF-DG
VISO KAINA
0.31
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
DMN3033LSDQ-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
2403
DiGi DALIES NUMERIS
DMN3033LSDQ-13-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4804BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SQJ260EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
