Gamintojo produkto numeris:
SI4831BDY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4831BDY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 6.6A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12915213
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4831BDY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
LITTLE FOOT®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
625 pF @ 15 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4831
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI4447ADY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
9014
DiGi DALIES NUMERIS
SI4447ADY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.17
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
AO4449
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
17373
DiGi DALIES NUMERIS
AO4449-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR9120TRL
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
IRFD9210
MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
SI7447ADP-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
