SI4922BDY-T1-E3
Gamintojo produkto numeris:

SI4922BDY-T1-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI4922BDY-T1-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

Inventorius:

13914 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12915014
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI4922BDY-T1-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.8V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
62nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2070pF @ 15V
Galia - Maks.
3.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
SI4922

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
SI4922BDY-T1-E3-DG
Duomenų lapai
SI4922BDY-T1-E3

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SI4922BDY-T1-E3DKR
SI4922BDY-T1-E3TR
SI4922BDYT1E3
SI4922BDY-T1-E3CT
Standartinis paketas
2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
vishay-siliconix

SI7913DN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI4310BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

vishay-siliconix

SI5513DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

vishay-siliconix

SI4539ADY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC