Gamintojo produkto numeris:
SI4931DY-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4931DY-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
3736 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12915608
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4931DY-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.7A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 350µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
SI4931
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4931DYT1E3
SI4931DY-T1-E3CT
SI4931DY-T1-E3DKR
SI4931DY-T1-E3TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MMIX2F60N50P3
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
