Gamintojo produkto numeris:
SI5499DC-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI5499DC-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Išsami aprašymas:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventorius:
12915882
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI5499DC-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
8 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
800mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 8 V
VGS (Max)
±5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1290 pF @ 4 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
1206-8 ChipFET™
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Pagrindinio produkto numeris
SI5499
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI5499DC-T1-E3TR
SI5499DC-T1-E3CT
SI5499DC-T1-E3DKR
SI5499DCT1E3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI5471DC-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
16150
DiGi DALIES NUMERIS
SI5471DC-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQD50N10-8M9L_GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
SI3415A-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
