Gamintojo produkto numeris:
SI5857DU-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI5857DU-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventorius:
12959672
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI5857DU-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
LITTLE FOOT®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
480 pF @ 10 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pagrindinio produkto numeris
SI5857
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI5857DU-T1-E3CT
SI5857DU-T1-E3TR
SI5857DUT1E3
SI5857DU-T1-E3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI2334DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
SI4430BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
