Gamintojo produkto numeris:
SI5908DC-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI5908DC-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventorius:
27807 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12918167
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI5908DC-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.4A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
1206-8 ChipFET™
Pagrindinio produkto numeris
SI5908
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SI7904DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
