Gamintojo produkto numeris:
SI6433BDQ-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI6433BDQ-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventorius:
12919054
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI6433BDQ-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.05W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSSOP
Pakuotė / dėklas
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI6433
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI6433BDQ-T1-E3DKR
SI6433BDQ-T1-E3CT
SI6433BDQ-T1-E3TR
SI6433BDQT1E3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI6423DQ-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
8352
DiGi DALIES NUMERIS
SI6423DQ-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.65
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHW47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
SI4354DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO