SI7114DN-T1-E3
Gamintojo produkto numeris:

SI7114DN-T1-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI7114DN-T1-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 11.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventorius:

9926 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12915569
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI7114DN-T1-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7114

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SI7114DN-T1-E3CT
SI7114DNT1E3
SI7114DN-T1-E3TR
SI7114DN-T1-E3DKR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SI7382DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7434ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK

vishay-siliconix

IRFIZ14GPBF

MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3

vishay-siliconix

SI1050X-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6