Gamintojo produkto numeris:
SI7174DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7174DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 75 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
4800 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12916961
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7174DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
75 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2770 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7174
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7174DP-T1-GE3CT
SI7174DP-T1-GE3TR
SI7174DPT1GE3
SI7174DP-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7407DN-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
SQJA70EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
