Gamintojo produkto numeris:
SI7405BDN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7405BDN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 16A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventorius:
12916625
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7405BDN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
115 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3500 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7405
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7405BDN-T1-GE3TR
SI7405BDN-T1-GE3CT
SI7405BDN-T1-GE3DKR
SI7405BDNT1GE3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIS407ADN-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SIS407ADN-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.26
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIS452DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
SIHJ10N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
SISS10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S