Gamintojo produkto numeris:
SI7455DP-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7455DP-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12919542
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7455DP-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5160 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7455
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHH27N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
SIHF12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SIRA84BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8
