Gamintojo produkto numeris:
SI7615CDN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7615CDN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventorius:
3 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914159
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7615CDN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET® Gen III
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3860 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
33W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7615
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7615CDN-T1-GE3TR
SI7615CDN-T1-GE3CT
SI7615CDN-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TPN4R712MD,L1Q
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
7052
DiGi DALIES NUMERIS
TPN4R712MD,L1Q-DG
VISO KAINA
0.25
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFU9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
IRLZ24LPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
SI3495DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
