Gamintojo produkto numeris:
SI7619DN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7619DN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 24A (Tc) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventorius:
110450 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914662
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7619DN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
24A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7619
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7619DN-T1-GE3DKR
SI7619DNT1GE3
SI7619DN-T1-GE3CT
SI7619DN-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI8401DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
IRFS9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IXTQ26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
