Gamintojo produkto numeris:
SI7846DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7846DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
2215 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914845
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7846DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.9W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7846
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7846DP-T1-GE3-DG
SI7846DP-T1-GE3TR
742-SI7846DP-T1-GE3TR
SI7846DP-T1-GE3CT
SI7846DP-T1-GE3TR-DG
742-SI7846DP-T1-GE3CT
742-SI7846DP-T1-GE3DKR
SI7846DP-T1-GE3DKR
SI7846DP-T1-GE3CT-DG
SI7846DP-T1-GE3DKR-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4404DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
IRFU9020
MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
IXFT26N50Q TR
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
