Gamintojo produkto numeris:
SI8406DB-T2-E1
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI8406DB-T2-E1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Inventorius:
5466 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12913586
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI8406DB-T2-E1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
850mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
830 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pakuotė / dėklas
6-UFBGA
Pagrindinio produkto numeris
SI8406
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI8406DBT2E1
742-SI8406DB-T2-E1TR
742-SI8406DB-T2-E1CT
SI8406DB-T2-E1TR-DG
SI8406DB-T2-E1CT-DG
SI8406DB-T2-E1CT
SI8406DB-T2-E1DKR
742-SI8406DB-T2-E1DKR
SI8406DB-T2-E1TR
SI8406DB-T2-E1DKR-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFR18N90P
MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247
IXFR80N60P3
MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
SI4866DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
